Транзистор IRF9530P-канальный, MOSFET полевой транзистор используется в источниках вторичного электропитания, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления, аудио техники и т.п.
Этот MOSFET изготавливается в пластиковом корпусе типа TO-220AB, с тремя металлическими выводами.
Основные технические параметры IRF9530 Структура полевого транзистора p-канал
Корпус to220ab Пороговое напряжение на затворе -4 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -14 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100 Крутизна характеристики, S 3.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.2 ом при-8.4a, -10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 79 
Аналоги полевого MOSFET IRF9530 являются транзисторы MTP12P10, BUZ272, 2SJ412
Для проверки полевых транзисторов N-канального типа структуры МДП необходимо переключить мультиметр в режим проверки диодов , черный минусовой щуп необходимо установить слева на подложку (D - сток), красный плюсовой на дальний от себя вывод справа (S - исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде , полевой транзистор закрыт. Затем, не отпуская черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G - затвор) и опять соеденяем его с дальним (S - исток), мультиметр показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться 150...170 мВ), полевой транзистор открылся прикосновением
Выходная мощность схемы на нагрузке 8 Ом доходит до 45 Вт и 70 Вт при нагрузке 4 Ом. Выходные транзисторы, в.т.ч IRF9530 должны быть установлены на радиаторе, при этом VT3 должен иметь тепловой контакт с радиатором VT5. КПД усилителя 70%, Коэффициент нелинейных искажений не более 0,2% (10Вт, 8 Ом). 
При настройке схемы, учитывайте, что выход усилителя не имеет защиты.
Полупроводниковые устройства, работа которых основана на принципах изменения сопротивления полупроводника поперечным электрическим полем, получили название полевые транзисторы. Одним из них является MOSFET IRF9530. |
  |
