Транзистор IRF530P-канальный, MOSFET полевой транзистор встречается довольно часто в радиолюбительских самоделках.
Этот полевой транзистор изготавливается в пластиковом корпусе типа TO-220AB, с тремя металлическими выводами.
Основные технические параметры IRF530 Структура n-канал
Крутизна характеристики, S 12 Корпус to220ab Максимальное напряжение сток-исток Uси,100 В Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..17 А Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..70Вт Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.09 ом при 9a, 10в Пороговое напряжение на затворе 4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., ±20В Аналоги полевого MOSFET IRF530 являются отечественные транзисторы КП530, КП745А
Для проверки полевых транзисторов N-канального типа структуры МДП необходимо переключить мультиметр в режим проверки диодов , черный минусовой щуп необходимо установить слева на подложку (D - сток), красный плюсовой на дальний от себя вывод справа (S - исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде , полевой транзистор закрыт. Затем, не отпуская черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G - затвор) и опять соеденяем его с дальним (S - исток), мультиметр показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться 150...170 мВ), полевой транзистор открылся прикосновением
Выходная мощность схемы на нагрузке 8 Ом доходит до 45 Вт и 70 Вт при нагрузке 4 Ом. Выходные транзисторы, в.т.ч IRF530 должны быть установлены на радиаторе, при этом VT3 должен иметь тепловой контакт с радиатором VT5. КПД усилителя 70%, Коэффициент нелинейных искажений не более 0,2% (10Вт, 8 Ом). 
При настройке схемы, учитывайте, что выход усилителя не имеет защиты.
Полупроводниковые устройства, работа которых основана на принципах изменения сопротивления полупроводника поперечным электрическим полем, получили название полевые транзисторы. Одним из них является наш обозреваемый экземпляр MOSFET серии IRF530. |
  |
