Транзистор TIP122

TIP122 является составным биполярным транзистором Дарлингтона структуры n-p-n, он имеет четыре вывода: база, эмиттер и два коллектора, смотри схему и распиновку на рисунке ниже.
Радиоконструкторы на любой вкус

Этот биполярный транзистор изготавливается в пластиковом корпусе типа TO-220AB, с тремя металлическими выводами и еще одним коллектором, который также является радиатором.

Технические параметры транзистора TIP122, распиновка и цоколевка

Внутренняя схема составного транзистора TIP122:

Пример включения транзистора Дарлингтона TIP122:

Допустимые максимальные технические параметры TIP122

Напряжение коллектор-эмиттер, 100 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 Вольт
Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
Рассеиваемая мощность коллектора 65 Вт
Ток коллектора: 5 Ампер

Аналогами биполярного транзистора TIP122 являются: 2N6045, 2N6532, 2SB601, 2SD1415, 2SD2495, 2SD560, 2SD633, BDT63, BDT65, BDW42, BDW43, KSB601, KSD560, MJF122, MJF6388, TIP102, TIP122G, TIP132, TIP142T

Комплементарной парой является транзистор TIP127, с такими же характеристиками, но p-n-p типа.

Подробные характеристики и свойства транзистора TIP122 при температуре 25° Цельсия:

Как проверить биполярный транзистор TIP122

Биполярный транзистор состоит из двух P-N переходов. Его выводы называются, как эммитер, база и коллектор. Слой, который посередине, называется базой. Эммитер и коллектор находятся по краям. В P-N-P транзисторе в классической схеме включения ток втекает в эммитер и собирается в коллекторе. А ток базы регулирует ток в коллекторе. Не будем на этом подробно останавливаться, если у вас и возникло желание разобраться с работой, то вы можете посмотреть соответствующую лекцию.

Примеры использования в радиолюбительской практике

Простой усилитель мощности звуковой частоты :

Основа схемы операционный усилитель TL081 и два выходных транзисторах TIP127 и TIP122. Выходная мощность схемы 12 Вт при выходной нагрузке 8 Ом. Напряжение питания устройства может варьироваться от +/-12 до +/-18 Вольт.

Составной транзистор изобрел в 1953 году Сидни Дарлингтоном, он был выполнен из двух биполярных транзисторов на одном кристалле кремния и диффундированными n и p переходами. Поэтому новый транзистор получил имя изобретателя - транзистор дарлингтона, например TIP122