Транзистор TIP127 datasheetTIP127 является составным биполярным транзистором Дарлингтона структуры p-n-p, он имеет три металлических вывода: база, эмиттер и два коллектора, вторым является также корпус, так, что по сути у него четыре вывода, смотри схему и распиновку на рисунке ниже.
Этот биполярный транзистор изготавливается в пластиковом корпусе типа TO-220AB, с тремя металлическими выводами и еще одним коллектором, который также является радиатором. Может применяться в схемах управления, где нужна высокая скорость переключения, но требуется большая мощность. Также этот составной радиокомпонент заметен в системах управления импульсным электродвигателем и в усилителях общего применения.
Большинство заводов изготовителей выпускают данный транзистор в металло-пластиковом корпусе ТО-220 с тремя жесткими выводами. Первый вывод слева, если смотреть со стороны маркировки будет базой, средний коллектором и последний эмиттером. Коллектор также имеет прямой физический контакт с металлическим основанием. 
На фронтальной части корпуса наносится маркировка. На ней расположены следующие сведения: название устройства (TIP127), литера G говорит о том, что полупроводник не имеет свинца в своем составе и безопасен для окружающей среды; А – место сборки, год выпуска и рабочая неделя. Внутренняя схема составного транзистора TIP127: 
Пример включения транзистора Дарлингтона TIP127: 
Допустимые максимальные технические параметры TIP127 Напряжение коллектор-эмиттер, 100 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 Вольт Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 Рассеиваемая мощность коллектора 65 Вт Ток коллектора: 5 Ампер Аналогами биполярного транзистора TIP127 являются: 2N6042, 2SB1020, 2SB1626, 2SB673, BDT62, BDT64, BDW47, BDW48, MJF127, MJF6668, TIP107, TIP137, TIP147T, TTB1020B Комплементарной парой является транзистор TIP122, с такими же характеристиками, но p-n-p типа. Подробные характеристики и свойства транзистора TIP127 при температуре 25° Цельсия: 
Тепловые параметры: Тепловые характеристики имеют огромное значение. Особенно в конструкциях, где транзистор рассеивает большую мощность. Для подобных схем правильный выбор теплоотвода, крайне важен для нормальной работы устройства. Его использование позволяет получить максимальные результаты в производительности и сгладить негативное влияние от нагрева элемента. 
Необходимо четко понимать, что без нормального охлаждения, вместе с ростом температуры, рассеиваемая мощность транзистора значительно снижается. Практически все производители наглядно показывают эти изменения в datasheet в виде специальных графиков.
Биполярный транзистор состоит из двух P-N переходов. Его выводы называются, как эммитер, база и коллектор. Слой, который посередине, называется базой. Эммитер и коллектор находятся по краям. В P-N-P транзисторе в классической схеме включения ток втекает в эммитер и собирается в коллекторе. А ток базы регулирует ток в коллекторе. Не будем на этом подробно останавливаться, если у вас и возникло желание разобраться с работой, то вы можете посмотреть соответствующую лекцию.
Простой усилитель мощности звуковой частоты : Основа схемы операционный усилитель TL081 и два выходных транзисторах TIP127 и TIP127. Выходная мощность схемы 12 Вт при выходной нагрузке 8 Ом. Напряжение питания устройства может варьироваться от +/-12 до +/-18 Вольт. 
Составной транзистор изобрел в 1953 году Сидни Дарлингтоном, он был выполнен из двух биполярных транзисторов на одном кристалле кремния и диффундированными n и p переходами. Поэтому новый транзистор получил имя изобретателя - транзистор дарлингтона, например TIP127 |
  |
