Биполярный транзистор S8050 DataSheet
Данный n-p-n полупроводниковый прибор относится к высокочастотным биполярным транзисторам общего назначения. Получил широкое распростронение в электронном мире в основном в схемах коммутации и усилителях. Обладает следующими основными параметрами коллекторный ток до 700 мА максимальное напряжения до 20 В, низкий уровень собственных шумов и коэффициентом усиления по току до 300.
Транзистор выпускает достаточно много зарубежных фирм: Wing Shing Computer Components Co.Ltd, Unisonic Technologies Company; Weitron technology co.Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited; Daya Electric Group Co., Ltd; SeCoS Halbleitertechnologie GmbH; Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd; SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.
Транзисторы S8050 чаще всего используются в роли усилителя сигналов класса и двуконтактных схемах с комплементарной парой, в роли электронного ключа для небольших нагрузок, например: реле; Светодиоды; запирающие устройства и т.п.
По ссылке выше вы сможете скачать Datasheet на кремниевый высокочастотный транзистор S8050, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном для просмотра справочной документации, формате PDF.
 |
Цоколевка и распиновка S8050 справочник |
|
В настоящее время он изготавливаются в пластиковом корпусе с тремя внешними выводами (эмиттер, база, коллектор) ТО-92, смотри подробней DataSheet по корпусам транзисторов.
Если смотреть с лицевой стороны: эмиттер слева, база посредине, а коллектор спраа.
Комплементарной парой для S8050 является биполярный транзистор c p-n-p-структурой S8550.
|
Технические параметры и характеристики S8050 |
|
Перед нами высокочастотный транзистор, с неплохими параметрами. Рассмотрим их более подробно. Но учтите у разных производителей характеристики могут немного отличатся друг от друга.
Максимальные значения параметров S8050:
Интервал рабочих температур (Tstg) -65 - 150 °С
постоянный ток: коллектора (Iк max) - 700 мА;
Напряжение между выводами: Uкб max 30 В; Uкэ max 20 В; Uэб max 5 В;
коэффициент шума (nF) 0.5 … 6 дБ
мощность рассеивания (Рк max) до 1 Вт
Максимально допустимый коллекторный ток составляет 0,7 A, поэтому bv можно управлять только нагрузками, которые не превышают этого значения.
Остальные технические характеристики устройства при температуре окружающей среды 25°С приводим в таблице ниже:
Также нужно отметить низкий уровень собственных шумов 2SS8050 и высокий коэффициент усиления HFE до 400 (
S8050C)
. Максимальное значение усиления показывает максимально возможное усиление сигнала, которое вы можете получить от транзистора использовав его в электронной конструкции.
|
Аналоги S8050 |
|
Импортные: 9013, 9014 и 2N5551
|
Как проверить S8050 мультиметром |
|
Из измерительного оборудования для проверки полупроводникового компонента S8050 нам потребуется только обычный мультиметр, который необходимо переключить в режим омметра или в режим проверки диодов.
Проверка биполярных приборов основана на том, что они имеют два n-p перехода, поэтому S8050 можно представить как два диода, общий вывод которых – база. Для n-p-n структуры эти два эквивалентных диода соединены с базой анодами, а для p-n-p катодами. Устройство считается исправным, если исправны оба перехода.
При работе с транзистором придерживайтесь следующих мер безопасности: Не эксплуатируйте его с напряжением выше 20 Вольт и нагрузкой более 700 мА; Используйте подходящий базовый резистор, ограничивающий ток базы до требуемого значения из справочника; Не подвергайте его нагреву свыше 150 градусов по Цельсию, чтоб не вывести радиокомпонент из строя.
|
Содержание драгоценных металлов S8050 |
|
Из datasheet приводится точная масса содержания драгметаллов на один транзистор: золота, серебра, платины и металлов платиновой группы (МПГ) на единицу изделия в граммах. Золото : 0, Серебро : 0, Платина : 0, МПГ : 0
|
