YX8018 схема

Микросхема представляет собой неплохой стабилизированный повышающий преобразователь напряжения разработанный специально для солнечных панелей. Она также встречается в схемах драйверов для осветительных светодиодов с питанием от Ni-Cd аккумуляторов и от солнечных элементов.
Радиоконструкторы на любой вкус

Микросборка YX8018 - узкоспециализированный драйвер для управления светодиодным фонариком с зарядом аккумулятора от солнечной панели. Она содержит встроенный DC-DC преобразователь для заряда батареи и драйвер управления светодиодом для зажигания света в сумерках и гашения с рассветом.

Data Sheet, распиновка микросхемы YX8018 справочник

Зарубежный аналог: Это китайское чудо известных аналогов не имеет, для ее замены в садовых фонариках рекомендуется использовать альтернативные схемы драйверов.

YX8018 содержание драгметаллов: да нет их там :)

Типовые схемы включения из Data Sheet:

Ток идущий через светодиод, от долей до нескольких миллиампер задается индуктивностью накопительного дросселя. Поэтому нет нужды стабилизировать напряжение. Особенностью чипа YX8018 является наличие управляющего входа, с помощью которого можно включать и выключатель схемму. Именно этот вход применяется в светодиодных солнечных светильниках для их автоматического включения с наступлением сумерок. Его же можно применять для построения схем стабилизированного повышающего преобразователя напряжения.

Основные параметры и свойства микросхемы, смотри в справочнике, правда он на китайском языке :(, но кое-что, все же понять можно.

Напряжение питания : от 0,8 до 1,5 В
КПД: 80-90 %
Корпус: ТО-92-4
Стабилизированный преобразователь напряжения на YX8018 для Ni-Cd, Ni-Mh аккумуляторов

В исходном состоянии на третьем выводе микросборки входе СЕ имеется потенциал, близкий к питающему. Это обусловлено наличием встроенного сопротивления, соединяющего этот вывод с плюсом источника. Поэтому схема включается, импульсы напряжения на его первом пине - выходе L выпрямляются диодом VD1, а сглаживающие емкости С2 и С3 заряжаются - выходное напряжение увеличивается. Когда напряжение на затворе первого полевого транзистора достигнет порогового значения (около 2 Вольт), сопротивление канала снижается и потенциал на его истоке (и входе СЕ чипа) также уменьшается - преобразователь отключается. Выходное напряжение станет снижаться, что приведёт к закрыванию полевого транзистора и включению преобразователя.

Схема преобразователь периодически выключается и включается, поддерживая на выходе уровень, заданный подстроечным сопротивлением R1. Рабочая частота схемы - около 200 кГц, а частота включения/выключения зависит от выходного тока и ёмкости С2 (чем больше ток и ниже номинал ёмкости, тем выше частота, она может варьироваться в диапазоне от нескольких герц до десятков килогерц. Зависимости выходного напряжения преобразователя (2,7 В) от входного для разных значений тока нагрузки предных значений тока нагрузки показанына графике ниже. Амплитуда пульсаций состовляет 10 мВ, остаётся практически неизменной и в небольших пределах зависит от выходного напряжения и параметров полевого прибора. Частота пульсаций зависит от рабочей частоты схемы и частоты включения/выключения и может лежать в широком интервале. Термостабильность задается в первую очередь параметрами полевого транзистора. В данном случае температурный коэффициент напряжения отрицательный и составляет несколько милливольт на градус Цельсия.

Все радио компоненты можно смонтировать на односторонней печатной плате, её чертёж показан на рисунке. Использовано подстроечное сопротивление СП3-19, оксидный конденсатор - импортный, остальные итипа К10-17. Вместо диода 1N5817 можно взят маломощные импульсные или детекторные германиевые или диоды Шотки. Дроссель мотается на ферритовом кольце диаметром 6-9 мм от трансформатора электронного балласта люминесцентной лампы и содержит 5 витков провода ПЭВ-2 0,4. Выходное напряжение в диапазоне 2-2.5 В выставляют подстроечным резистором. Для снижения пульсаций с частотой 200 кГц между емкостями С2 и С3 в плюсовую шину нужно добавить дроссель, например ЕС24, индуктивностью 470-1000 мкГн.