Транзисторы ВЧ малой мощности справочная подборка

Радиоконструкторы на любой вкус

Тип
транзистора
Прово-
димость
Предельные значения параметров
при Т=25°С
Значения параметров
при Т=25°С
Тк.макс.

°С
Корпус
Uкэ.мах
(Uкэ.и.мах.)
В
Iк.мах.
(Iк.и.мах.)
мА
Рк.мах.
к.и.мах.)
мВт
fгр.

мГц
h21Э

 
Кш

дБ
Iк.обр.
(Iэ.обр.)
мкА
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
ГТ305А p-n-p 15 40 (100) 75 20 25...80 - 6,0 (30) -60...+60  
ГТ305Б p-n-p 15 40 (100) 75 20 60...180 - 6,0 (30) -60...+60  
ГТ305В p-n-p 15 40 (100) 75 20 40...120 - 6,0 (30) -60...+60  
1Т305А p-n-p 15 40 (100) 75 20 25...80 - 6,0 (30) -60...+73  
1Т305Б p-n-p 15 40 (100) 75 20 60...180 - 6,0 (30) -60...+73  
1Т305В p-n-p 15 40 (100) 75 20 40...120 - 6,0 (30) -60...+73  
1ТМ305А p-n-p 15 40 (100) 75 20 25...80 - 6,0 (30) -60...+73  
1ТМ305Б p-n-p 15 40 (100) 75 20 60...180 - 6,0 (30) -60...+73  
1ТМ305В p-n-p 15 40 (100) 75 20 40...120 - 6,0 (30) -60...+73  
ГТ308А p-n-p 12 50 (120) 150 (360) 90 25...75 - 5,0 (50) -60...+70  
ГТ308Б p-n-p 12 50 (120) 150 (360) 120 50...120 - 5,0 (50) -60...+70  
ГТ308В p-n-p 12 50 (120) 150 (360) 120 80...150 8 5,0 (50) -60...+70  
1Т308А p-n-p 12 50 (120) 150 (360) 90 25...75 - 5,0 (50) -60...+70  
1Т308Б p-n-p 12 50 (120) 150 (360) 120 50...120 - 5,0 (50) -60...+70  
1Т308В p-n-p 12 50 (120) 150 (360) 120 80...150 8 5,0 (50) -60...+70  
ГТ309А p-n-p 10 10 50 120 20...70 - 5 -40...+55  
ГТ309Б p-n-p 10 10 50 120 60...180 6 5 -40...+55  
ГТ309В p-n-p 10 10 50 80 20...70 - 5 -40...+55  
ГТ309Г p-n-p 10 10 50 80 60...180 6 5 -40...+55  
ГТ309Д p-n-p 10 10 50 40 20...70 - 5 -40...+55  
ГТ309Е p-n-p 10 10 50 40 60...180 - 5 -40...+55  
ГТ310А p-n-p 10 10 20 160 20...70 3 - -40...+55  
ГТ310Б p-n-p 10 10 20 160 60...180 3 - -40...+55  
ГТ310В p-n-p 10 10 20 120 20...70 4 - -40...+55  
ГТ310Г p-n-p 10 10 20 120 60...180 4 - -40...+55  
ГТ310Д p-n-p 10 10 20 100 20...70 4 - -40...+55  
ГТ310Е p-n-p 10 10 20 100 60...180 4 - -40...+55  
ГТ320А p-n-p 20 (25) 150 (300) 200(1000) 80 20...80 - 10 (50) -55...+70  
ГТ320Б p-n-p 20 (25) 150 (300) 200(1000) 120 50...120 - 10 (50) -55...+70  
ГТ320В p-n-p 20 (25) 150 (300) 200(1000) 160 80...250 - 10 (50) -55...+70  
1Т320А p-n-p 20 (25) 200 (300) 200(1000) 160 40...100 - 5,0 (50) -60...+70  
1Т320Б p-n-p 20 (25) 200 (300) 200(1000) 160 70...160 - 5,0 (50) -60...+70  
1Т320В p-n-p 20 (25) 200 (300) 200(1000) 200 100...250 - 5,0 (50) -60...+70  
ГТ321А p-n-p 40 200(2000) 160(20Вт) 60 20...60 - 500 -60...+70  
ГТ321Б p-n-p 40 200(2000) 160(20Вт) 60 40...120 - 500 -60...+70  
ГТ321В p-n-p 40 200(2000) 160(20Вт) 60 80...200 - 500 -60...+70  
ГТ321Г p-n-p 30 200(2000) 160(20Вт) 60 20...60 - 500 -60...+70  
ГТ321Д p-n-p 30 200(2000) 160(20Вт) 60 40...120 - 500 -60...+70  
ГТ321Е p-n-p 30 200(2000) 160(20Вт) 60 80...200 - 500 -60...+70  
1Т321А p-n-p 50 (50) 200(2000) 160(20Вт) 60 20...60 - 500 -55...+60  
1Т321Б p-n-p 50 (50) 200(2000) 160(20Вт) 60 40...120 - 500 -55...+60  
1Т321В p-n-p 50 (50) 200(2000) 160(20Вт) 60 80...200 - 500 -55...+60  
1Т321Г p-n-p 40 (40) 200(2000) 160(20Вт) 60 20...60 - 500 -55...+60  
1Т321Д p-n-p 40 (40) 200(2000) 160(20Вт) 60 40...120 - 500 -55...+60  
1Т321Е p-n-p 40 (40) 200(2000) 160(20Вт) 60 80...200 - 500 -55...+60  
ГТ322А p-n-p 10 10 50 80 30...100 4 4 -40...+55  
ГТ322Б p-n-p 6 10 50 80 50...120 4 4 -40...+55  
ГТ322В p-n-p 10 10 50 50 20...120 4 4 -40...+55  
1Т335А p-n-p 19 (25) 150 (250) (500) 300 40...70 - 10 (5000) -60...+70  
1Т335Б p-n-p 19 (25) 150 (250) (500) 300 60...100 - 10 (5000) -60...+70  
1Т335В p-n-p 19 (25) 150 (250) (500) 300 40...70 - 10 (5000) -60...+70  
1Т335Г p-n-p 19 (25) 150 (250) (500) 300 60...100 - 10 (5000) -60...+70  
1Т335Д p-n-p 19 (25) 150 (250) (500) 300 50...100 - 10 (60) -60...+70  

Отечественные высокочастотные транзисторы часть 3; часть4